HBM明年價格調漲約5~10% 位元成長翻倍 佔DRAM總產值將逾三成

集邦估明年高頻寬記憶體（HBM）位元成長將翻倍，佔DRAM總產值將逾三成。圖／聯合報系資料照片

集邦科技發佈調查指出，受惠於HBM銷售單價較傳統型DRAM高出數倍，比DDR5價差也約五倍，加上AI晶片相關產品迭代讓HBM單機搭載容量擴大，預估到2025年前HBM在DRAM產能及產值佔比都會大幅向上。預估2023~2024年HBM佔DRAM總產能分別是2%及5%，但2025年佔比將超過10%。今年HBM產值將佔DRAM總產值逾20%，明年年佔比有機會逾三成。

集邦資深研究副總吳雅婷指出，今年第2季已開始針對明年HBM進入議價，不過受限於DRAM總產能有限，爲避免產能排擠效應，供應商已經初步調漲5~10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。而供應商議價時間提早於第2季發生有三大原因，其一，HBM買方對於AI需求展望仍具高度信心，願意接受價格續漲。

其二，HBM3e的TSV良率目前僅約40~60%，仍有待提升，加上並非三大原廠都已經通過HBM3e的客戶驗證，故HBM買方也願意接受漲價，以鎖定品質穩定的貨源。其三，未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度，以及供應能力產生價差，對於供應商而言，未來平均銷售單價將會因此出現差異，並進一步影響獲利。

展望明年，由主要AI解決方案供應商的角度來看，HBM規格需求大幅轉向HBM3e，且將會有更多12hi的產品出現，帶動單晶片搭載HBM的容量提升。集邦預估今年年的HBM需求位元年成長率近200%，明年可望將再翻倍。