《產業》研調：明年DRAM產值微增 H2扭轉跌價

根據TrendForce研究顯示，2022年的DRAM供給位元成長率約18.6%，然而由於目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅17.1%，明年DRAM產業將由供不應求轉至供過於求。儘管DRAM價格將因供過於求而出現下滑，但在寡佔市場型態下，整體產值不會大跌，預估2022年的DRAM總產值將達915.4億美元，仍年增0.3%。

TrendForce以明年各季度的供過於求比例（sufficiency ratio）作爲預測基礎，預期DRAM平均銷售單價將年減15%，並預估價格下滑幅度在明年上半年較爲明顯；預料明年下半年起將受惠於DDR5的滲透率提升與旺季需求效應帶動，均價跌幅將收斂，不排除有持平或漲價的可能性。

NAND Flash方面，2022年供給位元年增長率約31.8%；需求位元年成長幅度爲30.8%，故明年NAND Flash價格也將受供過於求影響而有所下滑。由於NAND Flash屬完全競爭市場，均價下滑的幅度較DRAM更加明顯，然NAND Flash在層數結構的堆疊持續推進，故在供給位元成長維持在30%以上，預估2022年NAND Flash總產值達741.9億美元、年增7.4%。

同樣以明年各季度的供過於求比例（sufficiency ratio）作爲預測基礎，推估2022年平均銷售單價將年減18.0%，價格下滑幅度也是在明年上半年度較爲明顯，明年下半年起將受惠於旺季需求效應帶動，均價跌幅較爲收斂，或有單季價格持平的可能性。

TrendForce指出，整體而言，DRAM與NAND Flash由於兩者競爭型態的不同，DRAM基本上在產能擴張上較有紀律，故長期均價的波動性較小，同時20奈米以下製程微縮已經逐漸達到物理極限，使得年度位元成長增幅有限。

相對而言，NAND Flash在產能擴張的規劃較不穩定，加上產品的層數能持續提升，故長期均價的波動性較大。

從資本支出來看，DRAM方面，近年來其整體資本支出對營收佔比（CAPEX to sales ratio）逐漸升高有兩大原因，首先，由於DRAM的製程微縮已經逐漸面臨物理極限，在20奈米制程以後，除了美光（Micron）1alpha奈米造就近30%的單晶圓位元成長外，其他從1X奈米轉至1Y奈米、或者1Y奈米轉至1Z奈米制程，成長已經收斂至15%以內。2022年三星（Samsung）與SK海力士（SK hynix）的最先進製程將導入關鍵機臺EUV，由於該機臺的生產交期長且造價高昂，使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出，以因應EUV的前置訂單。

其次，DRAM已形成寡佔市場型態，即使出現均價下跌週期，也因爲供應商的生產秩序，銷售均價難以跌破總生產成本，DRAM原廠能夠獲利。由於製程轉進不易，除三大原廠以外，市佔較小的南亞科(2408)、華邦電(2344)皆有擴產計劃，成爲DRAM市場資本支出對營收佔比（CAPEX to sales ratio）持續升高的另一大原因。