HBM需求 三星：將年增逾1倍

圖爲三星。圖／美聯社

HBM後市

科技業對消費性電子反映終端應用預估保守，AI應用面則展現強勁需求，三星電子預估2025年全球對高頻寬記憶體（HBM）需求，將年增逾1倍，美光稍早也指出，2024年及2025年的HBM產能已銷售一空。

外資券商摩根士丹利先前預測，AI需求相對仍強勁，但因傳統終端市場疲軟，致記憶體價格下滑，第四季記憶體行情更具挑戰，大摩預期恐於2025年出現趨勢逆轉，DRAM將一路供過於求至2026年。

三星電子依舊看好AI浪潮推動HBM需求大漲，預期明年全球需求增加1倍至250億GB，HBM佔整體DRAM銷售比重達28％，高於今年的16％；客製化AI記憶體市場總容量在2028年達到2,294億GB，較去年大增16倍。預測從2024～2029年，伺服器DRAM需求將以年均27％的速度成長，2024～2027年達58％。

另美光已開始送樣HBM3E 12-high 36GB產品，2025年第一季將大量生產並交貨。在HBM4的部分，HBM消耗的DRAM片數將持續增加，只要HBM的性能持續超過DRAM，每片消耗的DRAM片數就會續增。

美光上調2025年HBM整體市場規模至250億美元，如美光在HBM上能達成與在DRAM市場相同市佔，2025年HBM營收將達60億美元水準。

投資顧問機構Bain & Co.預期2026年HBM需求將較去年成長60％至65％，NAND Flash需求將較去年成長30％至35％。