SK海力士領衝 HBM3e送輝達驗證

HBM3e預計2024年上半年量產，將進一步鞏固SK海力士在AI記憶體市場的領導地位。

SK海力士指出，該公司 HBM3e不僅速度更快，容量更大、散熱更好、相容性也更強。韓媒推測，SK海力士的HBM3e，將有望搭載在NVIDIA影像處理器（GPU）GH200上。SK海力士強調，HBM3e每秒可以處理1.15TB以上的資料，相當於一秒鐘內，可以處理230多部、每部5GB大小的全高解析度電影。

SK海力士技術團隊並採用了Advanced MR-MUF2最新技術，使HBM3e的散熱性能與上一代相比，提高10％。

HBM3e還具備了向後兼容性（Backward compatibility），因此，客戶在基於HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構，也可以直接採用新產品。

高頻寬記憶體（HBM）以垂直方式連結DRAM，相較既有的DRAM，能大幅提高資料處理速度及性能，最初是爲影像工作而生，但隨着AI市場擴張，HBM可一次性大量處理資料的特性，爲HBM帶來新的商機。

SK海力士自2013年領先業界研發HBM後，即長期主導全球HBM市場，目前在全球HBM市場中市佔率約達50％。SK海力士已依序量產HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，新一代產品HBM3e，是HBM3的擴充版本（Extended）。

NVIDIA超大規模與高效能運算副總裁Ian Buck也表示，期待SK海力士公司在HBM3e領域上持續合作。