《科技》SK海力士率先推HBM3e 16hi產品 推升位元容量上限

TrendForce表示，HBM供應商以往在各世代皆推出兩種不同堆疊層數的產品，如HBM3e世代原先設計8hi及12hi，HBM4世代規畫12hi及16hi。

在各業者已預定於2025年下半以後陸續投入HBM4 12hi的情況下，SK hynix選擇在HBM3e追加推出16hi產品，TrendForce認爲，可歸因於以下背景因素，首先TSMC臺積電CoWoS-L可提供的封裝尺寸將於2026和2027年間擴大，每SiP(系統級封裝)可搭載的HBM顆數也增加，但後續升級仍面臨技術挑戰和不確定性。在生產難度更高的HBM4 16hi量產前，可先提供客戶HBM3e 16hi作爲大位元容量產品的選擇。以每SiP搭載8顆HBM顆數計算，HBM3e 16hi可將位元容量上限推進至384GB，較NVIDIA Rubin的288GB更大。

從HBM3e進展到HBM4世代，IO數翻倍帶動運算頻寬提高，此升級造成晶粒尺寸放大，但單顆晶粒容量維持在24Gb。在HBM3e 12hi升級至HBM4 12hi的過程中，HBM3e 16hi可作爲提供低IO數、小晶粒尺寸和大位元容量的選項。

TrendForce表示，SK hynix的HBM3e 16hi將採用Advanced MR-MUF堆疊製程，和TC-NCF製程相比，使用MR-MUF的產品更容易達到高堆疊層數及高運算頻寬。在HBM4及HBM4e世代皆預計設計16hi產品的情況下，SK hynix率先量產HBM3e 16hi，將能及早累積此堆疊層數的量產經驗，以加速後續HBM4 16hi的量產時程。SK hynix後續亦不排除再推出hybrid bonding製程版本的16hi產品，以拓展運算頻寬更高的應用客羣。