沒ASML也沒差？大陸成功自產光刻機 專家曝落後臺積電真相

在美國新制裁下，大陸先進製程晶片受衝擊。（示意圖/達志影像/shutterstock）

美國晶片管制反而激勵大陸技術突破，大陸工信部9月初公佈「首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知中，列出可用於生產65奈米或以下晶片的氟化氬光刻機（DUV曝光機），可減少對國外曝光設備的依賴。知名外資分析師楊應超接受「文茜的世界週報」專訪時說，65奈米還落後臺積電3奈米8個世代，大陸至少要5到10年才能追趕上。

楊應超表示，大陸半導體最大的問題是供應鏈被卡住，其中光刻機是最大的關卡，因此大陸自產光刻機成功，確實值得他們高興。不過重點是這臺光刻機只有65奈米，落後臺積電3奈米8個世代，這8個世代分別爲45奈米、32奈米、22奈米、14奈米、10奈米、7奈米、4奈米及3奈米。

楊應超強調，半導體制程越小，所需的技術就越困難，當進度越來越後面，研發時間就越拉越久，因此，雖然大陸成功自產光刻機很值得慶祝，但從技術上來講看，可能還差得很遠。

楊應超說，大陸要趕上現在臺積電的3奈米進度，需要5到10年的時間，大陸受到美國製裁影響，只能跟中芯互相切磋，但中芯的技術沒有臺積電厲害，所以在這方面有點吃虧。

但大陸晶片業實力不容小覷，「日經新聞」先前報導，半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治說，中芯的實力只落後臺積電3年，尤其中芯採用7奈米技術，卻能和臺積電5奈米性能同等，代表海思半導體的設計能力已進一步提升。