沒ASML也沒差?大陸成功自產曝光機 專家曝落後臺積電真相

在美國新制裁下,大陸先進製程晶片受衝擊。(示意圖/達志影像/shutterstock)

美國晶片管制反而激勵大陸技術突破,大陸工信部9月初公佈「首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」的通知中,列出可用於生產65奈米或以下晶片的氟化氬光刻機(DUV曝光機),可減少對國外曝光設備的依賴。知名外資分析師楊應超接受「文茜的世界週報」專訪時說,65奈米還落後臺積電3奈米8個世代,大陸至少要5到10年才能追趕上。

楊應超表示,大陸半導體最大的問題是供應鏈被卡住,其中光刻機是最大的關卡,因此大陸自產光刻機成功,確實值得他們高興。不過重點是這臺光刻機只有65奈米,落後臺積電3奈米8個世代,這8個世代分別爲45奈米、32奈米、22奈米、14奈米、10奈米、7奈米、4奈米及3奈米。

楊應超強調,半導體制程越小,所需的技術就越困難,當進度越來越後面,研發時間就越拉越久,因此,雖然大陸成功自產光刻機很值得慶祝,但從技術上來講看,可能還差得很遠。

楊應超說,大陸要趕上現在臺積電的3奈米進度,需要5到10年的時間,大陸受到美國製裁影響,只能跟中芯互相切磋,但中芯的技術沒有臺積電厲害,所以在這方面有點吃虧。

但大陸晶片業實力不容小覷,「日經新聞」先前報導,半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治說,中芯的實力只落後臺積電3年,尤其中芯採用7奈米技術,卻能和臺積電5奈米性能同等,代表海思半導體的設計能力已進一步提升。