開發碳化硅材料深刻蝕工藝，「中鋥半導體」完成數千萬元天使輪融資丨36氪首發

作者丨邱曉芬

編輯丨蘇建勳

36 氪獲悉，中鋥半導體（深圳）有限公司（下稱「中鋥半導體」）完成數千萬元人民幣天使輪融資。本輪融資由國科京東方、國核曜能、望衆投資等共同出資，將主要用於研發平臺搭建、原型設備和核心工藝開發、持續吸納優秀技術人才。

「中鋥半導體」成立於2023年10月，聚焦於特色工藝領域的 “等離子體幹法刻蝕設備（Plasma Dry Etch）”和“關鍵工藝解決方案”。

「中鋥半導體」創始人兼CEO譚志明表示，公司目前正全力開發針對碳化硅材料的深刻蝕設備和工藝（Deep SiC Etch），用以支持溝槽柵（Trench-Gate）的實現和更廣闊器件設計窗口。

功率半導體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產業鏈中最核心的一類器件之一。功率半導體能夠實現電能轉換和電路控制，在電路中主要起着功率轉換、功率放大、 功率開關、線路保護、逆變（直流轉交流）和整流（交流轉直流）等作用。

而碳化硅（SiC）作爲一種寬禁帶材料天然具有更高的耐壓，用碳化硅製作的電力器件相對於傳統硅基器件，可以以更高的頻率和更寬的溫度區域內處理高壓電流。

在模組層面，碳化硅已經可以顯著地降低損耗、重量和體積。爲此，在未來能源技術變革當中，碳化硅材料將極具優勢。

因此，目前在各類功率器件中，碳化硅功率器件作爲一項先進的電力電子設備，已經廣泛應用於能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。

不過，目前影響碳化硅走向應用的重大限制之一是成本。

通過溝槽柵（Trench-Gate）技術，碳化硅產品可以縮小芯片的表面積，讓單個晶圓能產出更多的芯片。因此，這項技術也成爲產業界降成本的主要手段。

而除了成本考量之外，溝槽柵還可以避免寄生Jfet效應帶來的額外內阻。比如，國外芯片廠商“英飛凌”就曾通過溝槽，來選擇更好晶面來改善柵氧界面和提高器件性能等等。

因此，如何應對碳化硅僅次於金剛石的超高的硬度（莫氏硬度9.5）和材料特性，實現碳化硅深刻蝕（Deep SiC Etch）以高效地實現工藝的具體形貌要求，就成爲產業界一個重大的難題。

在國內市場，目前產業界正處於碳化硅深刻蝕實現技術突破和量產的關鍵階段，更需要本土的設備廠商提供更多特色工藝的支持，共同實現半導體技術上的“彎道超車”。

「中鋥半導體」創始人兼CEO譚志明介紹，“公司團隊在技術和經驗上非常全面，涵蓋設備、製程工藝甚至器件設計等多個環節，並且確認會同產業生態內的合作伙伴進行聯合研發，期望儘早推出卓越的刻蝕設備產品和成熟的工藝解決方案，協助客戶解決關鍵工藝突破問題，提升產品價值。”

展望未來，譚志明表示，“中鋥半導體將攜手產業生態夥伴和業內高手，以領先的設備和工藝助力中國碳化硅產業發展跑出加速度。並期望依託本土市場的基礎，最終走向全球。”

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