晶片法案對未來三年市場影響 晶片製程 美衝先進、陸攻成熟

全球7奈米以下先進製程產能市佔率

美國參衆議院順利通過《美國晶片法案》強化在美國本土設廠的半導體補貼的同時，將限制獲補助廠商在中國投資，加上美國擬擴大對中國半導體設備出口限制。研調機構集邦科技認爲，未來三年美國將持續強化先進製程技術，而中國將鎖定成熟製程晶圓產能擴產。

《美國晶片法案》待美國總統簽署後即正式生效，該法案草案不僅涵蓋晶圓製造研發與建廠補助、稅務優惠補貼等，同時也提出附加限制條款，擬針對獲美國國家補貼的公司，限制獲補助期間不得在中國投資28奈米以下製程技術，以確保該法案對美國半導體產業競爭力的保護。

市調單位表示，目前同時於美國、中國投資擴產／廠的半導體公司僅有臺積電（2330）與三星（Samsung），針對《美國晶片法案》將如何限制兩家業者於中國的投資值得持續關注。

且先前美國祭出的《實體清單》明文禁止用於1X奈米及以下先進製程之美國技術銷售予被列入清單的公司，多數中國晶圓代工業者因而轉向積極擴充28奈米及以上成熟製程技術。

值得一提的是，中芯國際（SMIC）傳出成功量產7奈米制程，據集邦調查，由於7奈米（含）以下製程已逼近物理極限，若採用DUV而非EUV技術，需要更復雜的製作程序，將影響良率與成本，加上挖礦晶片結構與其他邏輯晶片較爲簡單，該製程產線欲生產更復雜的邏輯晶片難度恐怕相當高。

疫情導致的晶片供應鏈斷鏈刺激各區域經濟體更加重視半導體自主性議題，美國除透過晶片法案積極培植國內產線外，更頻頻藉由附加限制條款，配合疫情前即已執行數年的實體清單禁令，欲提高對中國半導體制裁的強度與深度以抑制其發展。

從晶圓代工端來看，臺積電與三星近期赴美投資設廠以5奈米先進製程爲主，而在中國擴產活動則大多爲28奈米（含）以上成熟製程。

集邦統計，中國晶圓代工業者在既有設備限制下亦較積極於擴充成熟製程產能，2022～2025年中國十二吋約當產能佔比將自24％成長至27％，成長幅度居各區域之冠；但若僅觀察先進製程（7奈米及以下）方面，2022～2025年則以美國增加幅度最高，預估市佔至2025年將成長至12％。