重拾美自制半導體好光景 英特爾IFS晶圓代工服務打頭陣

英特爾今（22）日舉行IFS Direct connect，並邀聯電、聯發科、OpenAI執行長奧特曼（Sam Altman）助陣。圖／美聯社

英特爾執行長基辛格英特爾全球製造基地

英特爾拆分代工製造與晶片設計部門後，首次對外揭開代工製造部門神秘面紗！英特爾今（22）日舉行IFS Direct connect，並邀聯電、聯發科、OpenAI執行長奧特曼（Sam Altman）助陣，揭示其製程技術將重返榮耀。英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）強調，英特爾晶圓代工服務（IFS）將作爲半導體制造領頭羊，在美國半導體自制中扮演關鍵角色。

英特爾晶圓製造大會啓動，值美國政府可望提供高達100億美元補貼，21日英特爾早盤不漲反跌，以下跌逾0.6％開出。

英特爾過去以IDM（整合元件製造廠）自居，包辦半導體從設計到生產所有流程，隨着IC產業進入高度分工，英特爾因設計與代工部門不分，產品開發權責難以釐清，一度陷入產品錯過市場時機，飽受機構投資人詬病的窘境。

英特爾執行長基辛格於2021年提出IDM2.0計劃，英特爾走向分工，日前更攜手聯電合作開發12奈米成熟製程平臺，自身轉攻先進製程，於4年內推出5個製程節點，帶來IC性能功耗比和密度的提升。

臺積電及英特爾較勁不斷，臺積電2奈米將採Nanosheet（奈米片）架構與backside power rail（背面電軌）設計，預計2025年投片量產，英特爾則採RibbonFET（周圍閘極電晶體）及PowerVia（背側供電）兩大突破技術的20A製程，挑戰臺積電地位。

英特爾更透露，Intel 18A也進入開發階段，並於奧勒岡州安裝業界第一個高數值孔徑曝光機（High-NA EUV），14A也如火如荼展開，將在先進製程維持領先地位。爲滿足HBM與多種運算晶片如CPU、GPU與FPGA等互相連結，先進封裝將是未來新戰場，英特爾也有Foveros、Co-EMIB等最新武器。

大啖美國國防部訂單

英特爾IFS也與美國國防部合作，啓動RAMP-C（Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial）計劃，透過此舉建置半導體智慧財產權的生態系能量，同時利用英特爾18A製程進行晶片製造與測試，由英特爾、IBM、微軟和NVIDIA參與，確保美國晶片自主、區域安全保障，對英特爾而言，進一步確立IFS訂單來源。