志聖晶圓自動壓膜機 製程革命
志聖再創半導體3D Packaging製程革命新紀元，領先推出「全新自動晶圓壓膜機」，全自動化設計更符合半導體制程流程、全自動裁切光阻膜更省人力，且產速比現行溼製程更快、材料利用率更高達68％以上，以及沒有溼製程所產生的廢水污染環保問題，將掀起晶圓3D Packaging製程革命。
志聖的晶圓壓膜機除已應用於CCM/CMOS及Fanout製程外，目前更與各大半導體廠商積極合作，切入LED製程、MEMS製程及TSV製程等高階3D先進封裝（3D Packaging）製程，提供臺灣半導體廠商在關鍵製程擁有世界級技術支援，提升臺灣產業在國際的競爭力。
志聖自動晶圓壓膜機創新概念設計系來自志聖在IC SUBSTRATE產業的真空壓膜技術，革命性的運用在半導體制程上顛覆了舊有的思維模式，讓晶圓光阻製程中有更好的良率、更節省成本、更能減少1/3以上的生產時間，由於志聖在2009年首度推出「半自動晶圓壓膜機」，一推出即廣受業界採用，在業界贏得不錯的口碑，今年再度技術創新，推出更佳設計的「自動晶圓壓膜機」，預期可再爲業界提升產品精度與競爭力。
志聖的自動晶圓壓膜機傳承半自動晶圓壓膜機原有的優異傳統功能，包括更優異的操作製程能力，除可讓幹膜發揮最大能力外，比現行溼式製程速度快3倍、高光阻材料的利用率只要溼製程一半的成本、可減少一個EBR（晶邊清洗）的製程、完美的100％填覆性效果、更佳的良率及穩定的品質，適用各種幹膜的革命性機種等功能。
自動晶圓壓膜機最大優勢在於光阻材料的利用率高到68％（一般溼膜製程只有10％左右），就成本極高的光阻材料而言相對節省58％以上，志聖指出，乾式光阻製程可以比溼製程快3倍的原因在於乾式壓膜可以將幹膜裁切的比晶圓小，所以在壓膜後不必再做裁切邊緣的製程，省去了EBR（晶邊清洗）的製程及時間，減少一個製程工序也減少產生不良品的機率，更省時、良率更好，而溼膜製程則完全無法省去此段製程。