微矽電子擴產 搶第三代半導體測試商機

微矽電子26日登錄興櫃，登錄參考價爲45元，主辦券商爲兆豐證券，登錄掛牌首日開盤雖一度大漲逾31％達59元，然受到新臺幣大貶及臺股大盤重挫衝擊，股價開高走低，終場以39.85元作收並跌破登錄參考價。

微矽電子主要營運項目爲晶圓測試及成品測試、晶圓切割、晶圓薄化及鍍膜（BGBM）、晶圓正面金屬化（FSM）等，提供邏輯IC、類比IC、金氧半場效電晶體（MOSFET）、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、車用二極體、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代半導體等後段封測服務。

微矽電子擁有探針卡自制能力，加上晶圓薄化及鍍膜、正面金屬化、晶圓切割及晶粒挑揀等一貫化整合性服務，可降低產品來回運送成本與風險，縮短交期及客戶委外管理成本，藉由提供客戶差異化服務，深化與客戶之合作關係。

由於功率半導體應用主軸逐步由消費電子及工業控制，擴展至新能源、車用電子、智慧電網、變頻家電等領域，推動MOSFET、IGBT等功率元件巿場持續成長，微矽電子專精功率元件測試服務，上半年因應客戶擴大委外，業績出現明顯成長動能。

微矽電子目前實收資本額新臺幣6.46億元，去年合併營收12.92億元，較前年成長26.4％，稅後純益年增126.4％達2.6億元，每股淨利4.31元。今年上半年合併營收6.87億元，稅後純益1.24億元，每股淨利2.03元。

微矽電子表示，第三代半導體業務經過長時間研發及與客戶合作驗證下，已成晶圓代工廠、IDM廠、第三代半導體設計公司主要委外測試代工廠。由於第三代半導體材料特殊性，需要與客戶不斷合作驗證，提升前段製程晶圓製造良率，產品驗證時間長，因此通過驗證後不易被其它競爭同業取代，在看好未來GaN及SiC需求成長動能情況下，已積極進行廠房擴建因應市場成長需求。