天嶽先進董事長宗豔民：碳化硅襯底價格將繼續下降 擬擴展8英寸產品產能|直擊業績會

《科創板日報》9月18日訊（記者 吳旭光）在今日（9月18日）舉行的2024年上半年業績說明會上，天嶽先進董事長、總經理宗豔民對該公司8英寸碳化硅襯底產品的產能情況及未來前景預期樂觀。

市場發展方向方面，宗豔民表示，目前市場主要還以6英寸晶圓爲主，碳化硅晶圓向8英寸發展，這個是半導體行業發展的規律。“未來幾年內，隨着技術進步，8英寸碳化硅將逐步起量。”

“從降本的角度，長期看，8英寸晶圓將有助於碳化硅器件在更多應用領域實現大規模商業化，推動碳化硅市場進入新的發展階段。目前公司在8英寸碳化硅襯底上，走在了行業前列，具備規模化生產能力，公司將計劃進一步擴展臨港工廠8英寸碳化硅襯底產能。”宗豔民補充說道。

對於碳化硅襯底產品價格，今年年初，有市場消息稱，國內主流6寸碳化硅（SiC）襯底報價參照國際市場每片750-800美元的價格，快速下殺，價格跌幅直逼三成。

業績會上，有投資者向天嶽先進提問：“4寸、6寸等傳統碳化硅襯底產品價格是否有進一步下探的空間？”

宗豔民表示，碳化硅襯底價格會下降，這一方面是由於技術的提升和規模化效應推動襯底成本的下降；另一方面，目前碳化硅襯底價格比硅襯底高，而價格下降有助於下游應用的擴展，推動碳化硅更加廣闊的滲透應用。

“與其他半導體材料類似，目前國內外頭部企業會根據市場情況、自身產品、具體客戶等因素綜合考慮定價策略，而部分新進參與者也會通過降價獲得市場，這符合行業發展規律。”宗豔民進一步表示。

針對未來公司將採取哪些措施來進一步優化成本時，天嶽先進在今年 8月下旬接受機構投資者調研時表示，一方面加大技術研發和前沿技術佈局，在晶體生長和缺陷控制等核心技術領域展開密集的試驗，不斷突破技術瓶頸，提高產品良率，持續降低製備成本；另一方面，持續提升產能產量，通過規模化效應推動襯底成本的下降。

《科創板日報》記者注意到，除了產能擴張之外，碳化硅襯底的生產良率同樣意義重大，這在一定程度上決定產品的成本優化，有助於碳化硅滲透率提升。不過各家碳化硅襯底廠商並不願公開過多透露良率數據。

對於投資者提出的“公司生產效率未來如何提升？”天嶽先進方面表示，生產效率提升一方面是長晶階段，另一方面是加工階段。“這兩方面公司都在持續提升。其中，在加工階段，公司在持續加大研發投入，包括佈局激光切割等前瞻技術領域。”

在產能擴建方面，今年7月8日晚間，天嶽先進公告，擬以定增募資3億元，用於投資8英寸車規級碳化硅襯底製備技術提升項目。

業績會上，在回覆投資者該定增募資項目最新進展提問時，該公司董事會秘書鍾文慶表示，天嶽先進2024年度以簡易程序向特定對象發行股票事項正在按程序推進，尚有不確定性。該公司將根據資本開支情況合理規劃再融資等安排。

此外，就碳化硅襯底需求方面，天嶽先進證券部工作人員表示，8英寸產品在客戶端驗證通過後，客戶大多都會選擇往8英寸升級轉型。“尺寸越大，單位芯片成本越低。”

有從事半導體行業研究的業內人士向《科創板日報》記者介紹，8英寸碳化硅襯底更具備綜合成本優勢，雖然製備成本增加，但合格芯片產量大幅增加。對下游客戶來說，推動6英寸往8英寸的方向升級，是重要的降本路徑之一。

近年來，得益於碳化硅半導體材料在新能源汽車及風光儲等應用領域的持續滲透，天嶽先進碳化硅襯底在新能源汽車領域的拓展已成爲主要下游應用場景之一。

在業績會上，天嶽先進董事會秘書鍾文慶表示，碳化硅有衆多優勢，提高性能的同時還能提高電池續航里程，縮短充電時間，因此在新能源汽車上已經開始獲得規模化應用。特別是在800V高壓平臺車型上，碳化硅技術的優勢明顯。隨着碳化硅成本的下降，碳化硅在各領域使用的滲透率會持續提高。