臺積電申請具有單元區的半導體器件及其形成方法專利，公開了一種形成半導體器件的方法

金融界2024年6月7日消息，天眼查知識產權信息顯示，臺灣積體電路製造股份有限公司申請一項名爲“具有單元區的半導體器件及其形成方法“，公開號CN202410178477.2，申請日期爲2024年2月。

專利摘要顯示，一種半導體器件的單元區包括：在襯底上形成爲預定形狀的有源區（AR），所述有源區包括具有第一形狀並相應地具有第一和第二摻雜劑類型的第一AR和第二AR、具有第二形狀並具有第二摻雜劑類型的第三AR、以及具有第三形狀並具有第一摻雜劑類型的第四AR。第一AR和第二AR佈置在單元區的第一區域中。第三AR和第四AR佈置在單元區的第二區域中。第二區域相對於第一方向（例如，Y軸（垂直鄰接結構）或X軸（水平鄰接結構））與第一區域相鄰。第一形狀小於第二形狀。第二形狀小於第三形狀。本申請的實施例還公開了一種形成半導體器件的方法。

本文源自：金融界

作者：情報員