聯合微電子中心申請半導體器件及其設計版圖、形成方法專利，有助於更加精準地控制刻蝕後的墊氧化層的剩餘厚度

金融界2024年10月29日消息，國家知識產權局信息顯示，聯合微電子中心有限責任公司申請一項名爲“半導體器件及其設計版圖、形成方法”的專利，公開號CN 118825011 A，申請日期爲2023年4月。

專利摘要顯示，一種半導體器件及其設計版圖、形成方法，所述設計版圖包括：形成版圖，包含一個或多個局部場氧隔離LOCOS區域，所述LOCOS區域內包含有源區圖形和僞有源區圖形；刻蝕版圖，包含第一刻蝕圖形和第二刻蝕圖形；其中，每個第一刻蝕圖形均位於所述有源區圖形內，每個第二刻蝕圖形均位於所述僞有源區圖形內。在LOCOS形成工藝，採用上述設計版圖，有助於更加精準地控制刻蝕後的墊氧化層的剩餘厚度。

本文源自：金融界

作者：情報員