SK海力士開發首款第六代DRAM晶片 速度提升11％

SK海力士宣佈開發出第六代DRAM。（示意圖/達志影像/shutterstock）

全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士（SK Hynix）29日宣佈，開發出業界首款第六代10奈米DRAM晶片，運行速度比前一代提升11％，功耗也減少9％。

不過輝達的業績展望不夠亮眼，拖累亞洲半導體類股走跌，身爲輝達供應商的SK海力士，29日股價挫跌多達6.8％。

SK海力士聲明指出，這款名爲16Gb 1c DDR5的晶片，可望獲高效能數據中心採用，運行速度較前一代提高11％，來到8Gbps（每秒8 千兆位元）。

此外1c DDR5的能源效率也比前一代改善了9％ 以上，值此AI當道耗電量激增之際，這個新一代晶片可助數據中心降低多達30％的電力成本。

SK海力士表示，今年爲1c DDR5量產做準備，明年開始出貨。