路透：HBM良率不佳 三星放下尊嚴追隨SK海力士製造技術

三星上個月發表率產業之先的36GB HBM3E 。美聯社

路透引述多位消息人士報導，三星電子計劃採用由競爭對手SK海力士主導的一項晶片製造技術，力求在生產人工智慧（AI）高階晶片的競爭中迎頭趕上。

隨着生成式AI日益普及，對高頻寬記憶體（HBM）的需求不斷增長。但三星顯然沒有拿到爲AI晶片先驅輝達（Nvidia）供應HBM晶片的生意，競爭不過SK海力士和美光（Micron）。

路透引述分析師與業界觀察家指出，三星落後的原因之一是堅持採用非導電膠膜（NCF）的晶片製造技術，導致生產出現問題；海力士則改用批量回流模製底部填充（MR-MUF）的方法來解決NCF的弱點。

不過，路透引述消息人士報導，三星最近已下單採購用於MUF技術的晶片製造設備。

消息人士指出，三星爲提高HBM良率，勢必要有所應變，「三星採用MUF技術，有點像是放下自尊，因爲終究不得不追隨SK海力士率先使用的技術」。

多位分析師透露，三星的HBM3生產良率大約爲10-20%，而SK海力士HBM3良率則高達60-70%。

HBM3和最新版本HBM3E目前需求正旺，這款記憶晶片和處理器封裝在一起，用於處理大量的生成式AI數據。

消息人士也表示，三星正在和日本的長瀨在內的材料製造商洽商，以取得MUF材料。不過，由於三星還需要進行更多測試，使用MUF來量產可能要等到明年纔會就緒。

消息人士也表示，三星電子打算兼採NCF和MUF技術來開發HBM晶片。

三星表示，他們開發的NCF技術是HBM產品的「最佳解決方案」，並將應用於新款HBM3E晶片。三星發佈新聞稿說：「我們正在按計劃推進HBM3E產品業務。」

NCF已是晶片製造商普遍採用的技術，在HBM堆疊多層晶片時，使用熱壓縮薄膜有助縮小堆疊的晶片之間的空間。

不過，隨着堆壘晶片增加，黏接材料常常引發製造上的問題。三星表示，最新的HBM3晶片共有12層晶片。晶片製造商一直在尋找解決這些弱點的替代辦法。

美光上個月加入HBM3的競爭，宣佈最新的HBM3E獲輝達採用，用於搭配輝達將於第2季出貨的H200 Tensor圖形處理器（GPU）。

投資人己注意到三星電子在AI晶片競爭中的挫敗，今年股價下跌7％，相比之下，SK海力士和美光的股價分別上漲了17％和14％。