聯電28奈米 攜手美商開發MRAM
晶圓代工大廠聯電（2303）宣佈，與美商Avalanch合作共同開發和生產取代嵌入式記憶體的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)，同時透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。
根據此合作協議，聯電將在28奈米CMOS製程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM記憶體模組整合至應用產品，並鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單晶片(SoC)上。
兩家公司也正考慮將合作範疇擴展至28奈米以下的製程技術，利用Avalanche 在CMOS技術的相容及可擴充特性，運用到各個先進製程。使這些統一記憶體(非揮發性及靜態隨機存取記憶體SRAM)能順利地移轉調配到下一世代的高整合性的微控制器(MCU)和系統單晶片(SoC)上。如此一來，系統設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟體系統上直接修改而不需重新設計。
聯電先進技術處洪圭鈞副總經理表示，隨着嵌入式非揮發性記憶體NVM解決方案在目前的晶片設計界日趨普及，聯電已成爲高成長的行業，如：新興消費和車用電子應用的客戶，建立了強大且堅實的嵌入式非揮發性記憶體解決方案組合，更期待能將此合作進程推升至量產階段。