《科技》應用材料新技術 促邏輯晶片微縮到3奈米以下

臺積電(2330)供應鏈的美商應用材料宣佈，在晶片佈線的技術突破，促使邏輯晶片微縮到3奈米及更小尺寸。

應用材料公司已開發出一種Endura Copper Barrier Seed IMS(銅阻障層晶種整合性材料解決方案)的全新材料工程解決方案。這是一項整合式材料解決方案，在真空環境中將七種製程技術整合到一個系統中，可將導線電阻減半，提升晶片效能和功耗表現，並能夠持續將邏輯晶片微縮到3奈米及更小尺寸。

應用材料公司表示，全球各大晶圓代工邏輯客戶現已使用Endura Copper Barrier Seed IMS系統。

臺積電日前已宣佈，3奈米制程研發進度順利，預計今年下半試產，明年下半年量產，屆時將是領先全球的製程技術。

應用材料推出一種嶄新的佈線工程設計方法，能促使先進邏輯晶片微縮到3奈米節點及更小尺寸。公司資深副總裁暨半導體產品事業羣總經理Prabu Raja表示，這項獨特的整合解決方案是專爲協助客戶加快發展效能、功率和麪積成本的技術藍圖。