《科技》TI日本會津廠開始生產GaN 自產能力大躍進

TI技術與製造資深副總裁Mohammad Yunus指出：「我們擁有超過十年的GaN晶片設計與製造經驗，成功驗證了8吋GaN技術，並已在會津工廠量產，這是目前最具擴充性且成本競爭力的GaN技術。我們的目標是到2030年將內部GaN晶片製造比率提升至95%以上，並確保從多個據點穩定供應GaN產品。」

GaN技術作爲矽的替代方案，在節能、開關速度、電源解決方案的尺寸與重量、系統成本等方面具備顯著優勢。GaN晶片能提供更高的功率密度，適用於筆記型電腦、行動電話的電源轉接器，以及加熱與空調系統和家用電器馬達等應用。

TI目前提供最廣泛的整合式GaN功率半導體產品組合，從低電壓到高電壓應用皆涵蓋在內。高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian表示，GaN技術能在更小空間內提供更高效能，滿足如伺服器電源、太陽能發電、AC/DC轉接器等系統設計師對於降低功耗和提升效率的需求。

TI的GaN晶片經過超過8,000萬小時的可靠性測試，並配備整合式保護功能，確保在高電壓系統中的安全性。此外，TI的新產能採用現今市面上最先進的製造設備，不僅提升產品性能與製程效率，還具備成本優勢和更高的環境效益。TI的製造過程使用更少的水、能源與原物料，而最終產品同樣具備節能的環保效益。

TI正在持續擴大GaN製造規模，未來將提升GaN晶片的電壓等級，從900伏特開始逐步擴展至更高電壓，應用於機器人、再生能源和伺服器電源等領域，進一步推動能源效率與創新。此外，TI已於12吋晶圓上成功試行GaN製造，爲未來進一步提升產能做好準備。