國研院 發表12吋叢集式ALD

國研院儀科中心與國內半導體設備供應商天虹科技，以「原子層沉積技術」（Atomic Layer Deposition，ALD）爲關鍵技術，打造「12吋叢集式ALD設備」，突破高階半導體設備自制瓶頸，擺脫製程技術受國外設備商箝制困境，成功取得國際大廠多臺設備正式訂單。

儀科中心指出，自2004年起深耕發展ALD技術，因應不同製程需求開發各式ALD設備與製程驗證技術，累積完整機臺建置經驗，2015年與臺積電及產學界共同推動成立「原子層沉積聯合實驗室」，提供半導體制造業ALD製程設備測試與開發驗證的服務平臺，是國內唯一具備客製化ALD設備及製程能力之研究單位。

儀科中心亦發揮帶領國內ALD先進研究羣聚效應，至2020年已客制開發20多臺各式ALD設備，其應用領域涵蓋太陽能光電、半導體、觸媒和光學薄膜等領域。

天虹科技自2002年成立以來，專精於與半導體廠商合作開發關鍵半導體零組件，並可客製化地針對進口設備進行改裝及性能提升，是國內本土自制率達70％以上的半導體濺鍍設備供應商。

儀科中心與天虹科技於2018年起合作，整合雙方技術共同開發市場行情新臺幣一億元的12吋量產型叢集式ALD設備，並於2019年完成設備開發及12吋氧化鋁薄膜製程驗證，10奈米厚度的氧化鋁薄膜均勻性（uniformity）大於99％。

相較市面量產型ALD設備，天虹科技機臺擁有降低前驅物消耗量設計與相對高產出速度，並可依客戶端製程與產能需求加掛反應室，具備高度可擴充性；而氧化鋁薄膜製程也率先應用於Mini-LED及 Micro-LED上作爲鈍化保護層。天虹科技執行長林俊成表示，所發展的製程，改善了LED發光效率與使用壽命，效果顯著並獲得驗證。