北方華創申請溝槽結構製備方法專利，改善溝槽處溝道可靠性

金融界2024年10月31日消息，國家知識產權局信息顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司申請一項名爲“溝槽結構的製備方法及溝槽柵型晶體管的製備方法”的專利，公開號 CN 118841431 A，申請日期爲2023年4月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種溝槽結構的製備方法及溝槽柵型晶體管的製備方法，該溝槽結構的製備方法包括：利用刻蝕氣體對半導體層進行刻蝕，以在半導體層上形成溝槽，刻蝕氣體含有氧元素或氮元素；對溝槽的側壁進行P型摻雜，以補償刻蝕過程中氧元素或氮元素在側壁造成的淺施主缺陷。本發明能夠改善溝槽處溝道的可靠性，提高碳化硅器件的製造良率。

本文源自：金融界

作者：情報員