asml估計華爲明年用DUV光刻機出限量5納米和3納米芯片

ASML估計華爲明年用DUV光刻機出限量5納米和3納米芯片。

asml推測9000S，9010S，9020S都是7納米工藝。通過2.5D工藝和3D工藝增加芯片面積和厚度增加晶體管，有9核並行設計達到4納米gen2.水平。有消息稱未到7納米，是10納米級3D加多核達到目標，這樣才能實現規模量產1500萬片左右。

華爲用了多種技術有可能達到5納米3納米，例如通過高精度校準精度0.1納米，DUV的2納米套刻精度，達到DUV理論極限5納米。 3D就可以有等效2.5納米水平，小步到6納米，實現3納米水平。國產DUV計劃 套刻精度1.4納米，能做到2納米 ，只是產率比EUV低得多。

用DUV光刻機，自對準多重曝光的理論極限2納米，要更多層曝光。

實際上ASML只向中國出售7納米光刻機，未出售最先進5納米DUV光刻機。

國產EUV正在調測中，可能2年內達到量產，只比臺積電落後一年。

另外，臺積電也被排斥，高NA EUV光刻機先給其他廠家。