安森美宣佈推出全新650 V碳化矽MOSFET
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），宣佈推出一系列新的碳化矽（SiC）MOSFET裝置，適用於對於功率密度、能效和可靠性要求極高的相關應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車（EV）車載充電器（OBC）、太陽能逆變器、伺服器電源（PSU）、電信和不斷電供應系統（UPS）等應用中實現顯著的更佳性能。
安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏（V） SiC MOSFET基於一種新的寬能隙半導體，提供比矽更勝一籌的開關性能和更好的熱性能，因而提高系統級能效、功率密度，及減少電磁干擾（EMI）、系統尺寸和重量。
新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1採用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson （12 mOhm）。這技術還優化能量損失品質因數，從而優化了汽車和工業應用中的性能。內置門極電阻（Rg）爲設計人員提供更大的靈活性，而無需使用外部門極電阻人爲地降低裝置的速度。更高的功率變動、雪崩能力和短路穩健性都有助於增強耐用性，從而提供更高的可靠性和更長的裝置使用壽命。
安森美半導體先進電源部門資深副總裁Asif Jakwani在發佈新品時表示，在現代電源應用中，如電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和可再生能源、企業運算及電信等其他應用，高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，並降低電磁干擾（EMI）。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。