愛旭申請單晶硅臨界生長速度確定方法專利，單晶硅臨界生長速度確定方法更準確且省人力時間

金融界2024年11月5日消息，國家知識產權局信息顯示，浙江愛旭太陽能科技有限公司申請一項名爲“單晶硅臨界生長速度的確定方法、確定裝置和電子設備”的專利，公開號 CN 118895558 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本申請提供了一種單晶硅臨界生長速度的確定方法、確定裝置和電子設備，該方法包括：在單晶硅滿足第一預設條件的情況下，向磁場發生裝置發送控制信號，以將單晶硅置於磁場發生裝置產生的磁場中，第一預設條件包括以下之一：單晶硅在生長系統中處於生長狀態且未達到等徑生長狀態的情況和單晶硅在生長系統中進入等徑生長時的情況；至少根據磁場的強度，確定單晶硅的臨界生長速度，通過該確定方法確定得到的單晶硅臨界生長速度相比於現有技術中僅憑藉經驗判斷的速率更加準確，且節省了人力和時間。

本文源自：金融界

作者：情報員