寧夏盾源聚芯申請提高高阻單晶硅片退火後電阻率檢測準確性專利，提高電阻率檢測精度

金融界2025年1月21日消息，國家知識產權局信息顯示，寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司申請一項名爲“提高高阻單晶硅片退火後電阻率檢測準確性的方法”的專利，公開號CN 119269187 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本發明提供一種提高高阻單晶硅片退火後電阻率檢測準確性的方法，涉及硅片檢測方法技術領域，在多線切割得到高阻硅片後，將高阻硅片放入混酸溶液中刻蝕第一預定時 間，得到預處理硅片，以將切割過程中帶入的雜質微粒消除，防止雜質微粒在退火時在硅片中擴散，然後將預處理硅片置於退 火爐中進行退火，以消除負荷中心，使得硅片中其他影響檢測準確性的帶電粒子全部被消除，進而電阻率檢測時檢測精度提高。

天眼查資料顯示，寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司，成立於2011年，位於銀川市，是一家以從事電氣機械和器材製造業爲主的企業。企業註冊資本18714.352萬人民幣，實繳資本18645.7萬人民幣。通過天眼查大數據分析，寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目17次，知識產權方面有商標信息6條，專利信息116條，此外企業還擁有行政許可35個。

本文源自：金融界

作者：情報員