中微半導體設備（廣州）有限公司取得基座及氣相沉積裝置專利，保證加熱器的上表面和上電極下表面之間的平行度

金融界2025年1月4日消息，國家知識產權局信息顯示，中微半導體設備（廣州）有限公司取得一項名爲“基座及氣相沉積裝置”的專利，授權公告號 CN 222250968 U，申請日期爲2024年1月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種基座，包括：加熱器，所述加熱器的下方設置一絕熱板，所述絕熱板包括一中心區域和邊緣區域，至少四個基板擡升機構支撐所述絕熱板的邊緣區域，每個所述基板擡升機構的第一端與所述絕熱板連接，每個所述基板擡升機構的第二端與驅動機構連接，每個所述基板擡升機構的第一端包括一球頭面，所述絕熱板包括與所述球頭面匹配的凹槽。通過調整絕熱板對應區域所述基板擡升機構的垂直距離，從而調整該區域的加熱器的高度以改變與上電極的距離，進而保證加熱器的上表面和上電極下表面之間的平行度。

天眼查資料顯示，中微半導體設備（廣州）有限公司，成立於2023年，位於廣州市，是一家以從事專用設備製造業爲主的企業。企業註冊資本1000萬人民幣，實繳資本1000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，中微半導體設備（廣州）有限公司專利信息1條，此外企業還擁有行政許可1個。

本文源自：金融界

作者：情報員