粵芯半導體申請隔離結構相關專利，解決現有技術中晶圓表面的氮化硅膜層會出現坍塌的問題

金融界2024年11月4日消息，國家知識產權局信息顯示，粵芯半導體技術股份有限公司申請一項名爲“隔離結構形成方法、半導體器件製備方法及半導體器件”的專利，公開號 CN 118888511 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種隔離結構形成方法、半導體器件製備方法以及半導體器件，涉及半導體制備技術領域。該方法包括：在晶圓的正面刻蝕中等深度隔離溝道；通過爐管工藝在中等深度隔離溝道中沉積多晶硅以及在晶圓的背面形成多晶硅膜層；清除晶圓的背面的多晶硅膜層；通過爐管工藝在晶圓的正面和背面生長氮化硅膜層；在晶圓的正面刻蝕深溝隔離溝道；在深溝隔離溝道中生長氧化層。通過上述技術手段，解決了現有技術中晶圓表面的氮化硅膜層會出現坍塌的問題，以提高半導體器件的性能和良率。

本文源自：金融界

作者：情報員