英特爾締盟約聯電 挑戰臺積電

英特爾卡位半導體「埃米時代」佈局成形，該公司爲迎戰臺積電，25日與聯電2共同宣佈，將合作開發12奈米制程平臺。圖／美聯社

聯電和英特爾宣佈合作開發12奈米制程平臺重點

英特爾卡位半導體「埃米時代」佈局成形，該公司爲迎戰臺積電，25日與聯電宣佈攜手，將合作開發12奈米制程平臺，並拍板於亞利桑那州開發、製造，預計2027年投產，聯電成爲第二家前往美國亞利桑那佈局的臺灣晶圓代工廠。聯電ADR早盤大漲2.26％。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務（IFS）總經理Stuart Pann表示，與聯電的策略合作展示了英特爾對臺灣生態系的承諾，也是實現英特爾在2030年成爲全球第二大晶圓代工廠重要一步。

外傳英特爾此次再找上聯電技轉12奈米Arm架構，爲聯合次要敵人打擊主要敵人的手法，將成熟製程委由聯電代工，全力搶攻高階製程技術，達到英特爾總裁基辛格「彎道超車」臺積電的目標。

供應鏈對此表示，英特爾可能正在爲晶圓代工業務做完全拆分鋪路，率先尋找各項IP技術授權及因應成長需求預先準備。

新制程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。

外傳本次聯盟的授權金上看100億元以上，聯電的海外佈局再增美國新廠區，可望擠進全球晶圓代工大廠之林，2027年後營運將三級跳。

聯電錶示，此項12奈米制程將善用英特爾於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及爲客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。

雙方將透過生態系合作伙伴提供的電子設計自動化（EDA）和智慧財產權(IP)解決方案，合作支援12奈米制程的設計實現（design enablement）。此12奈米制程預計在2027年投入生產。

英特爾Stuart Pann表示，隨着英特爾推動企業轉型、落實IDM 2.0和四年五個節點的策略，我們持續探索與臺灣公司合作的新機會。與聯電的策略合作，是實現英特爾在2030年成爲全球第二大晶圓代工廠重要一步。

聯電共同總經理王石也表示，聯電與英特爾進行在美國製造的12 奈米FinFET製程合作，是追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，並利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。