英飛凌推全新系列整合快速二極體滿足照明和工業應用需求

產品適用於返馳式、PFC以及LLC/LCC設計，包括半橋式或全橋式組態。由於整合了快速二極體和超低逆復原電荷（Qrr），因此可提供耐用又可靠的快速二極體硬切換，併成爲此電壓等級中最耐用的SJ MOSFET，能適用於目標應用中的所有拓撲。

此外，大幅降低切換損耗（EOSS、QOSS及Qg）可提升硬切換和軟切換應用的效率，且與900V CoolMOS C3 SJ MOSFET相比，MOSFET溫度最多可降低4°K。新產品將輕負載和全負載的PFC效率提高0.2％以上，同時符合LLC效率方面的效能要求，更有助於邁向更環保的世界。

新產品系列降低了各種SMD和THD封裝元件的導通電阻（RDS(on)）值，最高可降低55％。設計人員可透過更小的封裝尺寸、大幅提高功率密度並節省電路板空間，降低BOM與生產成本。此外，與CoolMOSC3相比，新產品的閘極電荷提升了60％，大幅降低驅動損耗。而且能夠達到人體放電模型（HBM）2級靜電放電敏感度標準，確保ESD的穩健性，進而減少與ESD有關的設備故障，提高了產量。