下一代半導體研發園區動工 三星擬投資20兆韓元

這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內新建研發中心,該研發園區總面積約10.9萬平方公尺,將主管NAND快閃記憶體、晶圓代工、系統新片等新技術研發。三星電子相關人士表示,若建成具備尖端設備的研發中心,有望縮短新一代產品研發時間,提升半導體品質。

專家指出,李在鎔出席動工儀式意在凸顯其對技術的高度重視,強調只有拉開「超級差距」才能生存下來。