無錫光磊電子科技申請提高MOS器件耐壓專利，使MOS器件高壓使用下性能更穩定

金融界2024年11月11日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫光磊電子科技有限公司申請一項名爲“一種提高MOS器件耐壓的方法”的專利，公開號CN 118919411 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種提高MOS器件耐壓的方法，包括S1，首先進行襯底材料的選取；S2，選擇柵極材料並製備柵極；S3，進行分級電壓配置；S4，在進行源極和漏極設置時調整摻雜工藝參數；S5，調整多級MOS結構之間的距離；S6，進行MOS器件的耐壓測試。本方明在進行MOS器件耐壓能力提升的方法包括設置第一絕緣層和第二絕緣層、選擇襯底材料和柵極材料、進行電壓分級配置，調整摻雜工藝以及調整多級MOS結構之間的距離共同實現，通過上述方法之間的結合，使得進行MOS器件耐壓改性操作起來更加的靈活，同時利用多種調節的方式使得MOS器件改性實施效果更加的明顯，以此使得本方案製備出的MOS器件高壓使用下性能更穩定。

本文源自：金融界

作者：情報員