天合光能申請太陽能電池製備方法和電池專利，能夠提高太陽能電池在N區和P區之間隔離的嚴密性，進而降低出現漏電的風險

金融界2024年12月25日消息，國家知識產權局信息顯示，天合光能股份有限公司申請一項名爲“太陽能電池的製備方法和太陽能電池”的專利，公開號 CN 119170702 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種太陽能電池的製備方法和太陽能電池。該太陽能電池的製備方法包括：在硅襯底的部分背面形成層疊依次設置的第一隧穿氧化層和第一摻雜多晶硅層，在硅襯底暴露的部分設置絕緣隔離層；絕緣隔離層靠近於第一隧穿氧化層和第一摻雜多晶硅層的側壁，形成層疊依次設置的第二隧穿氧化層和第二摻雜多晶硅層；第二隧穿氧化層覆蓋硅襯底暴露的背面；其中，第二摻雜多晶硅層和第一摻雜多晶硅層的摻雜類型不同，在第一摻雜多晶硅層的背離第一隧穿氧化層的表面、絕緣隔離層的部分側壁和背離硅襯底的表面、第二摻雜多晶硅層的背離第二隧穿氧化層的表面形成鈍化減反層，能夠提高太陽能電池在N區和P區之間隔離的嚴密性，進而降低出現漏電的風險。

本文源自：金融界

作者：情報員