臺積電「新RD研發中心」預計2021年啓用！擴增8000名科學家、工程師組研發大軍
▲臺積電業務開發資深副總經理張曉強透露新建的R&D研發中心消息。（圖／翻攝自臺積電）
晶圓代工廠「臺積電」（2330）25日舉行技術論壇，業務開發資深副總經理張曉強表示，臺積電持續擴大投資，2019年半導體研發經費高達近30億美元，保證在今天、在未來的最領先技術帶給客戶，同時他也透露，臺積電新建的R&D研發中心，會有一條全世界最領先的半導體研發生產線，預計在2021年建成，將容納8000位科學家和工程師。臺積電將繼續研發、投資、創新，帶動半導體新技術的開發。
張曉強介紹，臺積電7奈米於2017年進入量產，很快成爲5G、AI、HPC領域最重要的技術，至今爲止已產出10億顆，「我可以坦白地講，你的5G手機最重要的晶片出自臺積電7奈米。」其中，極紫外光（EUV）科技是未來發展重要的核心技術，臺積電是第一家量產EUV的公司；2019年下半年提到的6奈米制程，目前已進入試產，除了提高7奈米的效能，最大的好處是平臺兼容性，沿用客戶投資並得到回報。
臺積電2020年再次領先全球，率先進入5奈米制程量產，比起7奈米，速度提高15%，功耗降低30%，邏輯電晶體密度增1.8倍，良率超過同一時期量產的7奈米，同時也推出「5奈米加強版」（N5P）。張曉強進一步指出，4奈米則是建立在5奈米平臺上，把5奈米效能與功耗進一步向前推進，4奈米與5奈米互相兼容，2021年第四季試產、2022年量產。
至於3奈米制程，張曉強表示，沿用FinFET（鰭式場效電晶體）的原因，這裡有兩大考量，研發團隊通過不斷創新革新，發現新方式把FinFET提升到新的高度，同時儘快交給客戶使用，因此決定延用FinFET製程；不過他也強調，3奈米是全新的節點技術，在各方面效能都有明顯提高，與5奈米相比，速度增加10%至15%，功耗降25%至30%，邏輯電晶體密度增1.7倍，預計2022年下半年量產。
▲臺積電新建的R&D研發中心，會有一條全世界最領先的半導體研發生產線，預計在2021年建成，將容納8000位科學家和工程師。（圖／翻攝自臺積電）
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