時論廣場》應對晶片價格戰（劉佩真）

紐約時報引述知情人士報道，拜登政府準備對大陸生產的較舊款晶片，展開301貿易調查。圖／路透社資料圖片

近期市場傳出美國拜登總統恐在卸任前對中國半導體啓動301條款的貿易調查，其中主軸將以成熟製程的晶片爲主，主要是由於美國政府預估未來3～5年間，全球成熟製程晶片新增產能中，恐將有半數是由中國所貢獻。

由於目前中國先進製程遭到美國全面性的封鎖，迫使中國轉爲強攻成熟製程，甚至未來中國晶片供應價格將比美國低30～50%。在此情況下，美國期望以採取關稅或其他措施來阻擋未來中國成熟製程大量傾銷至美國，不過301條款的調查結果要採取何種行動，仍將由新任總統川普來決定，一般認爲採取關稅的手段機率較大。

專家預估2025年首季，晶圓代工業中的先進製程、成熟製程等廠商的營運表現將呈兩極化的現象。也就是AI及旗艦智慧手機、PC主晶片預期會帶動5/4奈米、3奈米、2奈米等需求至2025年底，且CoWoS先進封裝亦將持續供不應求。

反觀28奈米及其以上成熟製程，因終端銷售情況不明朗，其中消費性產品在2024年第3季備貨後，2025年第1季TV SoC、LDDI、Panel related PMIC等周邊IC的備貨需求顯著降低，加上首季進入傳統產業淡季，況且中國成熟製程不斷開出新產能，使得該類市場呈現供過於求的階段，甚至聯電、世界先進、力積電等折舊壓力持續上升，故預計我國二線晶圓代工業者的營運表現將明顯不如臺積電。

若以臺灣二線晶圓代工業者的因應而論，聯電將以特殊製程的發展爲重，目前佔營運的比重已過半。也就是在營運策略上，聯電持續擴大22奈米HV和55奈米RF SOI/BCD等產品，期望能逐漸擺脫紅色供應鏈的價格競爭窘境；況且聯電也積極與Intel合作，合作開發12奈米FinFET製程平臺計劃，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長，等同聯電可將12奈米的效應發揮至極致。

而世界先進佈局的氮化鎵產品已於2024年進入量產、氮化矽已簽約合作伙伴，與NXP合資在新加坡設立的12吋廠雖在建廠中，但掌握逾5成產能的訂單，且該公司也在氮化鎵、氮化矽等領域積極佈局。

力積電則是規畫將以Fab IP及3D晶圓堆疊技術取代原本的大宗規格產品，前者則是與印度塔塔集團合作，即力積電僅需提供技術移轉、協助建廠等，而塔塔電子對印度政府負責，預計未來4年將爲力積電帶來超過200億元的營收，等同建立FAB IP的模式。

若由我國積體電路設計業者的應對而論，面對中國成熟製程產能大幅開出，同步使得對岸的中低階晶片持續擴張版圖，我國積體電路設計業者有必要拉大與傳統制程的差距。政府期望透過「晶創計劃」，將積體電路設計廠商採用先進製程的比重逐步從現有的39%提高至43%，並協助開發異質整合等新世代技術，藉此避開紅色供應鏈在中低階晶片市場席捲而來的價格大戰。

（作者爲臺經院產經資料庫總監、APIAA理事）