三星擬在美加倍投資建芯片廠

參考消息網4月11日報道 據美國《華爾街日報》網站4月5日報道，據知情人士透露，三星電子有限公司擬將其在美國得克薩斯州的半導體投資總額增加超過一倍，至約440億美元，這是美國尋求擴大生產尖端芯片方面取得的重大突破。

這些知情人士說，這家韓國公司的新支出將集中在得州泰勒市，三星正在那裡建設半導體中心，附近還有其他現有業務。新增設施包括新芯片製造工廠，以及先進封裝和研發設施。

三星是能夠生產對人工智能和國防至關重要的先進邏輯半導體公司之一。三星、英特爾和臺積電這些公司處於拜登政府加強美國芯片製造能力的核心位置。

上述知情人士表示，爲資助更廣泛的得州擴建計劃，預計三星將從美國芯片法案獲得數十億美元補貼。三星與美國商務部的談判仍在進行中。

據透露，宣佈三星擴大投資的活動預計於4月15日在泰勒市舉行。

兩年多前，三星曾承諾向泰勒市投資170億美元旨在建一家尖端芯片製造工廠，這次就是在此基礎上追加的投資。

該工廠於2022年破土動工，計劃最早於今年開始大規模生產。據知情人士透露，由於通貨膨脹和其他因素，建造第一家芯片製造廠的成本有所增加，需要數十億美元的額外投資。

知情人士說，第二家位於泰勒的芯片廠預計將耗資逾200億美元。三星的研發工作預計將在這兩家工廠進行。它計劃建造的先進封裝設施將耗資約40億美元。

三星5日早些時候表示，預計第一季度經營利潤增長將超過9倍，達到約49億美元。隨着芯片行業從長期低迷中復甦，這一數字超過行業分析師預期。（編譯/許燕紅）