三星打出3奈米GAA狠嗆聲 臺積電強招連環出迎戰死敵

臺積電。(圖/達志影像)

三星集團(Samsung Group) 實際領導人、三星電子副會長李在鎔8月13日假釋出獄後，立即宣佈未來3年投入240兆韓圜(約2050億美元，換算新臺幣爲5.7兆元)，鞏固該公司在後疫情時代科技產業的優勢地位，甚至稱該公司下一代製程節點3奈米制程採用環繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA）不會輸給全球晶圓代工龍頭臺積電，不過，臺積電打算在3奈米制程延用FinFET架構，迎戰三星。

三星近期不斷嗆聲，先是宣佈三星3奈米制程正式流片 (Tape Out)，主要是與新思科技 (Synopsys) 合作，加速爲 GAA技術提供最佳化解決方案。並在8月25日線上召開的三星科技暨事業論壇(Samsung Tech & Career Forum)，三星「裝置解決方案」(Device Solution DS)事業部科技長Jeong Eun-seung表示，三星2017年纔將晶圓代工業務獨立出來，並以該公司在記憶體市業成長性來看，從多重閘道 3D 電晶體的鰭式場效電晶體(FinFET)發展至4D的GAA技術，領先主要競爭對手臺積電，預料晶圓代工事業發展遲早會超越臺積電。

不過，臺積電2019年推出的7奈米制程領先業界，導入極紫外光（EUV）微影技術進行量產，且維持高良率表現，獲得大量客戶青睞，讓臺積電在7奈米制程拉開與三星的差距。根據臺積電先前年報資料顯示，臺積電5 奈米制程技術已廣泛採用EUV 技術；3 奈米基於EUV技術展現優異的光學能力，與符合預期的晶片良率，以減少曝光機光罩缺陷及製程堆疊誤差，並降低整體成本；2 奈米及更先進製程上將着重於改善極紫外光技術的品質與成本。

根據目前時程來看，臺積電將在明年量產基於5奈米技術的4奈米制程，以及在明年下半年量產3奈米制程，並延續FinFET架構，主要是在控制成本與整體良率表現佳之下，讓客戶更願意採用臺積電3奈米。目前市場傳聞，預料重返晶圓代工領域的美國半導體巨頭英特爾，以及臺積電大客戶蘋果都會採用臺積電的3奈米制程，臺積電也將在跨入2奈米制程之際，纔會導入GAA技術。

據digitimes報導，三星3奈米制程研發規劃分爲2個階段，第一代的GAA GAE(GAA-Early)與第二代3奈米GAP(GAA-Plus)，2019年就稱3奈米GAE製程2020年底前展開風險試產，2021年開始量產，但目前未見蹤影，外界認爲將延遲到2023年纔會量產，但目前三星預定將在2022年底前量產。

業界認爲，三星與臺積電製程技術持續擴大，想提前導入GAA技術，藉此彎道超車臺積電，這也能讓大家理解，但三星良率問題重大，加上採用GAA技術門檻更高，三星在7奈米、5奈米制程都輸給臺積電，想依靠在3奈米制程反敗爲勝相當困難。

此外，就算三星宣稱3奈米正式流片，預計2022年底前量產，但就跟先前IBM宣稱推出全球首款2奈米GAA技術，雖然證實GAA技術應用在先進製程的可能性，但目前仍處在實驗室階段，想要大規模量產仍有相當大的難關要克服。此外，臺積電3奈米延續FinFET架構另外一個優勢，就是可以讓客戶在成本、效能都有能見度的狀況下安心下單，讓臺積電3奈米制程的訂單規模可期，更能有效掌握成本與定價能力，維持臺積電強勁獲利能力。

臺積電近期也傳出提高晶圓代工報價，先進製程調漲7~9%，成熟製程調漲20%，協助臺積電毛利率進一步成長，外傳三星也跟進調漲報價，預料未來終端產品價格勢必迎來一波漲勢。

至於臺積電2奈米竹科生產基地日前通過環評，並且獲得客戶資金支持共同參與研發，預期2024年纔會問世，業界認爲不需要急着推進，只要跟着客戶需求一步步調整計劃，就能穩定在先進製程領先競爭對手。