美印兩國達成協議，在印度共建工廠生產紅外、氮化鎵、碳化硅芯片

IT之家 9 月 23 日消息，據《印度時報》報道，當地時間 22 日，印度總理莫迪與美國總統拜登發佈聯合聲明稱，美印兩國將共同在印度建立一家芯片製造廠，以強化印度總理納倫德拉・莫迪加強該國製造業的努力。

該工廠將專注於爲國家安全、下一代電信和綠色能源應用提供先進的感應、通信和電力電子技術，生產紅外、氮化鎵和碳化硅芯片。據悉，印度半導體任務以及巴拉特半導體公司、3rdiTech 公司和美國太空部隊的戰略技術合作將爲其提供支持。

據悉，GlobalFoundries（IT之家注：格芯公司）在加爾各答設立了 GF 加爾各答動力中心，這將加強在芯片製造研發領域的互利聯繫，爲零排放和低排放車輛、聯網車輛、物聯網設備、人工智能和數據中心的突破性進展鋪平道路。

此外，IBM 也已經與印度政府簽署了諒解備忘錄，IBM 的 Watsonx 平臺將能夠被部署在印度的 Airawat 超級計算機上。