美晶片法案 擬設中國護欄條款

綜合外媒報導，在中國急起直追的壓力下，延宕許久的「美國晶片法案」最快在美東時間19日進行表決，以推動撥款520億美元的半導體補助法案。美國白宮新聞秘書尚皮耶（Karine Jean-Pierre）18日表示，白宮贊成對半導體產業建立堅固護欄，「這些激勵措施是要讓業界在美國，而不是在中國投資生產更多的半導體。」

知情人士透露，原先作爲最大阻力的共和黨正在轉變態度，預料很可能放行法案過關，參議院多數黨領袖舒默最快19日將進行程序投票，啓動法案辯論。

報導稱，儘管目前晶片法案還有諸多細節未經披露，但據瞭解，獲得美國政府補助的晶片企業，對中國市場的投資將受到限制，包括未來10年內不準在中國或其他受關注國家（如俄羅斯）投資建廠，但仍允許投資「成熟」(legacy) 製程，惟相關定義與條件尚不明確。

另據美媒取得的法案文本顯示，包括520億美元的補助款在內，多項措施已獲得兩黨支持，例如25％投資稅收抵減、5億美元國際安全通訊計劃、2億美元的員工訓練，以及15億美元的公共無線供應鏈創新資金等。

在美方技術封鎖升溫、疫情期間全球「晶片荒」背景下，中國官方透過舉國體制與補貼衝刺半導體產業，並揚言要砸下人民幣10兆元發展第三代半導體。集微諮詢統計，中國大陸目前共有23座12吋晶圓廠投入生產，預計未來五年各地還將新增25座12吋晶圓廠。

中國動作之大，令美國朝野深感不安，Google前CEO施密特（Eric Schmidt）和哈佛大學教授艾利森（Graham Allison）日前聯合在華爾街日報撰文示警稱，中國可能在2025年取代臺灣，成爲全球最大晶片產地。雖然美國擬向晶片製造業投資520億美元，但這規模僅相當於中國投資額的三分之一。