美國ITC 337終裁，英諾賽科侵犯EPC氮化鎵專利，或將被禁止進口到美國

2024年11月8日，美國宜普電源轉換公司（Effcient Power Conversion，簡稱“EPC公司”）在其官方網站宣佈，美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會已確認ITC的初步裁定，即中國的英諾賽科（Innoscience）侵犯了EPC的GaN技術基礎專利US8,350,294。這也就意味着在未獲得EPC許可的情況下向美國進口GaN相關產品或將被禁止。

此次ITC的最終決定還取決於60天的總統審查期，該審查期將於2025年1月6日到期。不過從歷史來看，總統幾乎很少會否決ITC的決定，因此這一決定或將影響英諾賽科在美國市場的佈局。

EPC首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow表示：“在投入近二十年的時間和大量資源開發我們獨特有價值的知識產權組合後，這是EPC的一次巨大勝利，也是全球公平競爭的一次重大勝利，這對下一代技術進步的成功至關重要。我們感謝ITC在承認我們的專利和創新科技侵權的有效性方面所做的辛勤工作”、“EPC將繼續大力保護我們的知識產權免受不公平使用，以確保我們能夠繼續創新，併爲客戶提供幫助推動我們未來發展所需的尖端技術。”

EPC表示，GaN技術是涉及人工智能、衛星、快速充電器、人形機器人和自動駕駛等應用的核心。這也是美國首次成功提起涉及GaN基寬帶隙半導體的專利糾紛。因此這一決定鞏固了美國EPC作爲這些下一代器件領先開發商的地位。

2023年5月24日，EPC在其官方網站分別以中文和英文發佈聲明，表示已於當日向美國聯邦法院和ITC提起訴訟（US8,350,294、US8,404,508、US9,748,347和US10,312,335），主張其基礎專利組合中的四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（簡稱“英諾賽科”）的侵犯。 這些專利涵蓋了宜普公司獨家的增強型氮化鎵功率半導體器件的設計和製造工藝的核心環節。

不過，英諾賽科很快於5月26日於其官網同樣發佈了聲明予以迴應。否認了專利侵權，表示經過對宜普公司四項美國專利的分析後認爲，並不存在侵權的行爲。

此後，雙方專利戰進入了膠着狀態。

2023年9月，英諾賽科則向美國專利商標局的PTAB提交了針對EPC專利的無效申請。2024年3月，PTAB就EPC四件專利的無效做出立案決定。

2024年7月5日，ITC做出初裁決定：判定英諾賽科在此次EPC的四件專利侵權指控中，除兩件EPC中途放棄指控外，一件沒有侵權，另一件侵權（涉案專利US8,350,294）。

因此，此次ITC做出終裁就是基於初裁認爲侵權的這件專利。

目前有關這件專利在美國專利商標局的無效審理還在進行之中，最新的狀態是2024年11月6日，雙方就口審提出請求。

從目前的情況來看，英諾賽科可能要孤注一擲的將這件EPC的專利在美國專利商標局無效掉，或者是採取規避設計的解決方案，纔有可能贏得更大的轉機。