美光與英特爾攜手開發第三代3D NAND 年底完成
美商半導體大廠美光日前和英特爾（Intel）攜手合作，完成第三世代3D NAND技術的開發工作，此項技術將於今年年底交付，並將展延至2019年初。在第三技術世代後，兩家公司將各別獨自開發3D NAND技術，將有助於兩家公司發展業界領先的NAND技術，並且上市。
目前兩公司正以第二世代3D NAND（64層）技術進行生產，未來將在猶他州的Lehi合資晶圓廠 (Intel-Micron Flash Technologies) 繼續共同開發及製造3D Xpoint產品。
美光技術研發執行副總裁Scott DeBoer表示，美光與英特爾有長期的合作關係，當雙方在未來NAND 技術上將各自發展的同時，期待繼續在其他專案上共同合作。美光的3D NAND技術開發的藍圖實力堅強，計劃將以業界領先的3D NAND技術，在市場上推出極具競爭力的產品。
Intel非揮發性記憶體解決方案事業羣資深副總裁暨總經理Rob Crooke說，英特爾與美光在NAND共同開發關係中已到了一個適當時機，現在正是兩家公司尋求各自聚焦市場的時候。英特爾的3D NAND和Optane技術藍圖爲客戶提供強大的解決方案，以滿足當前對運算和儲存需求。