美光導入EUV製程 臺灣成首座基地

儘管加碼美國動作不斷，臺灣美光董事長盧東暉接受專訪表示，不影響臺灣佈局，更不會因此降低臺灣美光產能，臺灣將成爲首個導入EUV的生產基地。(圖/財訊提供)

根據《財訊》報導，全球第3大記憶體廠美光總裁暨執行長桑賈伊．梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）於8月10日，與美國總統拜登一同宣佈了愛達荷州總部150億美元建廠計劃，隨即在9月14日舉行了動土。緊接着，10月12日美光又宣佈，將在紐約州打造全新DRAM（動態隨機存取記憶體）巨型工廠，爲期長達20年的1000億美元計劃，這不但是美國史上最大記憶體廠的投資案，未來也將是美國先進DRAM的製造重鎮。

《財訊》報導指出，美光科技在短短兩個月之內，先後宣佈在美國兩項重大投資案，合計金額高達1400億美元，美光更喊話20年後，美國DRAM產能比重要達到40%的目標。市場不免擔心，美光響應美國製造後，原本臺灣身爲美光最大DRAM的製造基地，未來市場地位會被取代嗎？

兩大投資拉昇美國佔比

面對市場的許多問號，上任10個月的美光前段製造企業副總裁暨臺灣美光董事長盧東暉，首度以產業、技術、供應鏈、人才等多方面解析給出了答案。

根據《財訊》報導，盧東暉提到，美國兩項投資案都是基於《晶片法案》而催生。其中，400億美元用於總部擴廠計劃，是在原來於去年底提出的10年1500億美元的資本支出計劃之內，加上觀察三星、英特爾、臺積電等半導體廠，都將研發與初期量產的工廠放在一起，如此佈局產生很高的商業價值，所以才決定投入。

至於紐約州巨型工廠的規畫，盧東暉不諱言，這項投資需要有政府政策持續性的支持，20年要達1000億美元的投資金額，前提是一切都能按部就班的進行，才能達到這樣的目標。

《財訊》分析，盤點美光的生產基地，在日本、臺灣擁有DRAM製造中心，在新加坡則有NAND Flash（儲存型快閃記憶體）製造中心；目前臺灣美光與日本廣島廠分別佔美光DRAM產能65%與35%。「未來DRAM產能的分佈希望走向三足鼎立的局面，美國產能會慢慢拉上來，希望10年後，將美國產能佔比提升至10%。」盧東暉透露。

但是，盧東暉強調，「在美國蓋新廠並不是要把臺灣的佔比拿走，是因爲餅變得更大了。我們相信，未來記憶體市場將大幅成長，臺灣、日本、新加坡都可能擴產，當市場需求回升時，美光的產能肯定不夠。」

《財訊》報導指出，美光曾於法說會上樂觀預估，展望2030年，全球記憶體產業規模將從2021年的1610億美元成長至3300億美元，增幅達1倍。盧東暉說，記憶體產業長期趨勢並沒有變，像5G發展還沒有真正起飛，又如未來一輛汽車就像是一個行走的伺服器，加上雲端應用持續擴大，這些需求量只會愈來愈大。