M31與高塔半導體攜手開發 65奈米先進記憶體解決方案問世

M31宣佈與高塔半導體合作。圖／M31提供

全球領先的矽智財供應商M31(6643）宣佈與高塔半導體（Tower Semiconductor）達成重要合作里程碑。雙方聯手成功開發出65奈米制程的SRAM（靜態隨機存取記憶體）和ROM（唯讀記憶體）IP產品，並已將設計模組交付客戶端完成驗證，爲半導體產業帶來全新的先進記憶體解決方案。

本次合作成果的一大亮點在於卓越的低功耗表現。M31與高塔半導體共同優化的設計架構，巧妙結合低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體），不僅能夠完美滿足當前SoC晶片對低功耗的嚴格要求，更爲未來物聯網（IoT）、智慧型穿戴裝置、車聯網（V2X）以及人工智慧（AI）等新興應用領域提供了關鍵技術支持。

爲了進一步提升產品的靈活性與適用性，M31特別在此IP中提供了多組Deep NWell電壓組合（0~8V、8~16V、16~24V），讓客戶能夠更加靈活地與其他外部IC進行整合。值得一提的是，M31的研發團隊在追求低功耗的同時，也成功克服了諸多設計挑戰，實現了速度性能的顯著提升，爲客戶帶來效能最佳化的雙贏方案。

M31研發副總連南鈞對此次合作成果表示高度肯定：「我們非常榮幸能與高塔半導體這樣的業界翹楚攜手合作，共同加速產品研發進程，爲客戶提供更加優質、創新的半導體解決方案。在此次合作中，M31特別專注於類比IC和低功耗元件的技術整合，不僅展現了高度的協同效應，更能有效協助客戶在日益複雜的SoC晶片架構中，實現性能和功能的全面優化。這次的成功合作再次證明了M31在全球晶圓廠供應鏈中的重要地位和多元化發展戰略。」

高塔半導體客戶設計支援中心副總Samir Chaudhry也對合作成果給予了高度評價：「隨着數位類比IC中的元件需求持續攀升，我們很高興能夠擴大與M31的合作範疇，共同開發兼容Tower 65奈米電源管理平臺的先進記憶體編譯器。這次的合作成果不僅彰顯了我們爲客戶提供尖端解決方案的堅定承諾，也體現了我們爲客戶創建下一代IC提供高效準確工具的決心。我們相信，這樣的合作將持續推動半導體產業的創新與進步。」