M31獲美國一線大廠訂單 7、5、3奈米 IP 有望接連報喜

M31董事長陳慧玲(左)與總經理張原薰。圖／M31提供

矽智財（IP）廠M31（6643）宣佈，7奈米制程快閃記憶體接口IP已完成矽驗證，支援最高速達每秒3.2GB，同時內部已着手開發5奈米開放式NAND Flash' rel='NAND Flash' data-rel='/2/122046' class='tag'>NAND Flash介面（ONFI）5.1的IP與3奈米ONFI 6.0的IP，並且已獲美國一線大廠採用，積極佈局人工智慧與邊緣運算應用的大數據存儲市場。

近年來SSD正在取代HDD成爲主流的存儲媒介，SSD的存取速度更快、容量更大，體積小巧還可以降低系統成本，並在人工智慧、邊緣運算、雲計算等應用技術躍進的催化下，海量資料的存儲與交互需求，更使SSD發展迎來全新的高算力時代。

主控晶片與NAND Flash爲SSD的核心，爲大幅度提高數據存儲和傳輸的效率，現行主流SSD皆採用PCIe Gen 4介面，且高階SSD也開始使用PCIe Gen5介面，整體介面傳輸速度的大幅提升，使相應的開放式NAND Flash介面速度表現成爲存儲晶片的關鍵性要素。

M31表示，公司遵循國際開放式NAND Flash介面規範，緊跟速度推升趨勢與最新先進製程技術，密切開發由開放式NAND Flash介面5.0的2.4GB/s提升到ONFI 6.0的4.8GB/s的頻寬技術，並提供製程節點由55奈米至3奈米全面性的ONFI矽智財解決方案，滿足市場對於高性能、高可靠性及低成本儲存的晶片設計需求，並依客戶需求客製化所需要的功能。

憑藉M31豐沛的研發實力與紮實的客戶合作經驗，M31不僅僅提供單一I/O，也針對高速高效能ONFI I/O所產生資料匯流排上的負載和損耗問題，M31更能進一步提供包含序列排序規劃（pad sequence arrangement），緩衝器規劃（bumper arrangement），基板繞線建議（substrate routing suggestion）等幫助客戶成功設計的完整解決方案。