國防加持！銻化鎵需求增 英特磊今年再設第二條產線

光電及高頻產品部分，受今年上半年量產客戶庫存仍高，惟研發產品訂單持績進行，磷化銦（InP）磊晶產品長期需求看好，今年持平，營收比重可能下幅下滑，APD訂單則持續增加；至於高頻HBT量產訂單，已自第二季中旬逐漸復甦，大尺寸InP HBT等磊晶產品亦開始交貨，將是未來若進入6G時代之關鍵。

高永中表示，由於英特磊產品較偏重基建及工業，故在GaAs族羣業績同步進入寒冬期的去年，全年營收仍以8.93億元逆勢創下歷史高。

展望今年，目前仍以InP爲營收佔比最高之產品，未來將持續與主要客戶洽談年度採購訂單、反應成本增加適時調價，並與客戶研發長波長InP VCSEL磊晶片之各項應用；此外，隨地緣政治風險增加，各國對國防需求均出現提升，尤其美國對GaSb磊晶片增高需求，GaSb應用除環保氣體偵測外，也可用於夜視增強器。

高永中指出，目前英特磊製作的是第四代，未來在軍用領域發展可期，預估今年GaSb營收佔比就會上升至15％～20％，明年還有機會突破20％，今年公司也將會完成第二條生產線，以擴大單晶生產之產能。

由於美國晶片法存在退場機制、將在2027年廢止，故業者若要在法案廢止前獲得最多優惠，就必須儘快展開設廠動作。高永中表示，英特磊今年規劃將擴建3萬呎廠房，做爲儲存機器、機器改造或GaSb生產線遷入之用，加速基建資本支出與新購機器的更新速度。

營運開發重點方面，英特磊去年購置六臺大型MBE機臺，交款時限符合美國晶片法案啓動時限，今年預計會再增加三臺MBE，其中兩臺是提供氮化鎵（GaN）使用，另一臺則爲8 x 6 MBE 20，是全球最大的MBE機臺，將於今年完成並買下；此外，1300nm摻氮VCSEL開發則持續與一線廠商合作。