補助比英特爾少也不怕 分析師曝「臺積電優勢」難被擊敗

臺積電爲全球晶圓代工龍頭，後頭追兵來勢洶洶。（圖／路透社）

美國商務部8日宣佈將提供臺積電(2330)最高66億美元投資補助及50億美元貸款，DIGITIMES分析師陳澤嘉表示，儘管臺積電獲補助金額低於英特爾、導入先進製程時間亦晚於英特爾，但憑藉在先進製程的大量生產經驗，仍可望維持良好的競爭優勢。

美國商務部3月18日宣佈提供英特爾（Intel）85億美元補助及110億美元優惠貸款，成爲美國晶片法案補貼最大贏家。先前，格羅方德（GlobalFoundries）、Microchip等美國半導體業者雖亦獲得晶片法補貼，但與英特爾獲得的補貼規模相去甚遠。

陳澤嘉觀察，英特爾及臺積電陸續獲得美國政府補助，2案補貼合計達151億美元，佔美國晶片法案對半導體制造補貼390億美元的近4成，凸顯美國意圖強化先進半導體制造能力的決心。而臺積電與英特爾目前的投資計劃，將有助美國建立半導體先進製程生產能力。

而在宣佈將提供臺積電高額補助後，美國商務部也同步透露，臺積電承諾將在亞利桑那州投資興建第3座晶圓廠、更新第2座晶圓廠投資計劃，使臺積電亞利桑那州總資本支出增逾250億美元，累計將逾650億美元。

陳澤嘉指出，考量美國半導體建廠時程、員工招募與訓練、客戶製程需求等因素後，臺積電亞利桑那Fab 21 P1廠原規畫量產技術已由5奈米制程轉爲4奈米，量產時程遞延至2025年上半年。

而原規畫2026年量產3奈米制程的Fab 21 P2廠，因應美國客戶需求，將增加生產更先進的2奈米制程，量產時程預計於2028年。陳澤嘉認爲，臺積電規畫2025年在新竹寶山Fab 20量產2奈米制程，因此2028年將2奈米制程順利導入Fab 21 P2廠的升級機率相當高。

至於臺積電規畫Fab 21 P3廠2030年前完工、導入2奈米及以下先進製程，陳澤嘉表示，由於2奈米制程2025年進入量產、1.4奈米制程可望在2027～2028年在臺量產，只要廠務建設、機臺進駐、人員招募與訓練順利，Fab 21 P3廠可望在2030年前順利導入1.4奈米制程。

不過，根據英特爾IDM 2.0戰略規畫，Intel 3製程已在2023年下半年完成開發，2024年將進入量產，成爲美國率先量產3奈米制程業者。至於Intel 18A製程，陳澤嘉預估將在2025年進入量產，使英特爾成爲美國本土首家生產2奈米以下製程的半導體業者。

陳澤嘉觀察，英特爾在5奈米以下先進製程量產時點將早於臺積電Fab 21、甚至可望在2030年前在美國量產Intel 10A製程，相似的先進製程量產時點皆可望早於臺積電Fab 21，將可提早爲美國建立先進製程生產能力。

不過，考量臺積電生產7奈米以下先進製程經驗疊加仍佔優勢，且客戶高度客製化產品經驗豐富，陳澤嘉認爲臺積電在美國仍可望持續保有競爭力，全球市場競爭力可望維繫。後續則可關注尚未公佈的三星電子獲投資補貼金額、及三星電子未來宣佈的相應投資計劃。