《半導體》聯電推40奈米RFSOI平臺 加速5G毫米波應用

聯電錶示，現今大多數的5G網路傳輸都在8GHz以下的低頻段，但毫米波技術則使用介於24～60GHz間的高頻段，藉此提供超高的傳輸速度、極低的延遲及更穩定的連接。

聯電40奈米RFSOI製程平臺針對射頻開關、低噪音放大器和功率放大器進行優化，能處理更寬的毫米波頻段，並能保持精巧尺寸，同時達到在毫米波模組中含括更多射頻元件需求，以提供客戶將波束形成器、核心和被動元件及前端元件整合在單一射頻晶片的解決方案。

聯電技術開發部執行處長馬瑞吉（Raj Verma）指出，5G的發展取決於毫米波的布建，以提供虛擬和擴增實境（VR/AR）、智慧城市、工業自動化和健康醫療應用所需的速度與能力。

馬瑞吉表示，聯電隨着推出40奈米RFSOI平臺擴展射頻技術組合，協助客戶將其先進5G裝置推向市場，並在持續成長的毫米波市場掌握商機。目前已有幾家客戶與聯電洽談，爲其射頻前端產品制定客製化的40奈米RFSOI製程，預計2024年開始量產。

聯電提供完整的射頻前端模組解決方案，RFSOI系列解決方案以8吋和12吋晶圓生產。自2014年以來，聯電已有超過400個產品完成設計定案（tape out），350億顆RFSOI製程IC投入各種應用，55奈米RFSOI製程也已投產多年，服務5G sub-8GHz市場。