《半導體》力旺攜聯電 推新興非揮發記憶體ReRAM矽智財

力旺的ReRAM矽智財於聯電40奈米制程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成。此次與聯電的合作，不但使力旺成爲全球首批提供這種新興記憶體矽智財的公司之一，並攜手聯電爲MCU(微控制器)、PMIC(電源管理IC)和AIoT市場提供更全面的解決方案。

力旺技術長暨第二事業羣總經理林慶源表示，力旺的ReRAM矽智財目前已於聯電40奈米成功驗證，並繼續將ReRAM的開發延伸至22奈米與更先進製程，方便未來晶片設計者將力旺的ReRAM矽智財整合到產品中。

ReRAM是一種新興的非揮發記憶體(NVM)技術，具有結構簡單、容易在晶圓代工廠生產並整合至CMOS平臺以及滿足高速低功耗運作等諸多優點。力旺的ReRAM可爲微控制器和電源管理IC提供代碼儲存(code storage)功能、爲低功耗或便攜式物聯網設備中提供查找表(lookup table)，並進一步應用於記憶體內運算(CIM)與人工智慧(AI)等領域。

ReRAM預計將可取代目前在40奈米與更先進製程的傳統嵌入式快閃記憶體，它同時也是BCD與HV等特殊製程的最佳嵌入式NVM解決方案。ReRAM具備許多優於分離閘快閃式記憶體的優勢，ReRAM 在後端流程中採用低溫製程，與分離閘快閃式記憶體相比，幾乎不需要熱積存(thermal budget)，並且更容易整合至各製程。

力旺與聯電攜手合作的此4Mb ReRAM矽智財技術系從日本松下半導體取得技術授權，具備16Kb資訊區塊、晶片修復、錯誤檢測和糾正等功能，並可支援高達攝氏125度的工作溫度，不僅可用於消費性電子更適用於工業應用領域。