1899元起三防機，Redmi Note 14 Pro+評測：驍龍7sG3+6200mAh電池
Redmi Note 14 Pro+在24年9月26日發佈，這一代把重心換成抗摔+防水、猛堆電池，甚至還加了顆長焦，可以把它當做是“裝成普通手機的三防機”。
Redmi Note 14 Pro+首發驍龍7s Gen 3、6200mAh電池+90W快充，光影獵人800主攝+2.5倍JN1長焦、IP66+IP68+IP69、1.8米抗摔，首發12+256版1899元，12+512版2099元，16+512版2199元。
這臺機器，主要是看驍龍7s Gen 3的性能水平，以及6200mAh電池的續航表現。
PS：非頂配爲LPDDR4x+UFS 2.2
外觀&做工&手感&指紋識別&外放&振動
紅外發射器在相機矩陣左下角的閃光燈上面↑，機身頂部兩側的開孔↓，其實是防水用的泄壓孔。
真我13 Pro+、Redmi Note 14 Pro+、vivo Y300 Pro（3種不同的後蓋紋路↑）
我們手上這個星沙青配色。大猩猩7i玻璃後蓋，正看是淡綠色，側一點就能看到類似國畫、彩秀之類的淡金色紋路，相當特殊。
亮面的塑料中框，泛着淡藍色，表面就像有一層女朋友/前女友指甲油一樣的塗層，這處理挺少見的。
Redmi Note 14 Pro+的屏幕曲率不算很大，爲做抗摔，邊框厚度控制一般。
曲屏+弧面中框，握感舒適。
210.8g的旗艦級重量，配上旗艦級凸起的相機，閉着眼拿，還真以爲是哪臺影像旗艦。但講道理，完全可以搞個小巧點的相機造型，省錢還省重量。
Redmi Note 14 Pro+的外圍配置和防護能力下了重本：
IP66+IP68+IP69（IP68是2米24小時）+溼手觸控，Redmi Note 14 Pro+正面是加厚版猩猩Victus 2蓋板，背蓋是大猩猩7i（比大猩猩5抗摔和抗刮都強100%），有1.8米抗摔、70kg抗彎折；
低位置短焦指紋、0809 X軸馬達，就不用細說了，起步線上的基本款老朋友；
上歌爾1014（有 N'Bass）+下瑞聲1216G（半腔）的雙揚聲器，實際外放表現相當強，音量大且音質還不錯；
紅外、匯頂GT9916R觸控IC、但單頻GPS；
Redmi Note 14 Pro+有小米/Redmi旗艦纔有的澎湃T1信號增強芯片，有電梯回網速度等專向優化。
Redmi Note 14 Pro+的6200mAh單電芯，是小米金沙江電池，6%硅含量硅碳負極（欣旺達-鋰威），能量密度814Wh/L，有小米旗艦在用的澎湃G1電源管理芯片和澎湃P2快充芯片。
客觀測試：屏幕&性能&發熱&續航&充電
（屏幕測試，亮度顏色條越長越好，色偏顏色條越短越好）
Redmi Note 14 Pro+是6.67英寸1.5K 120Hz中置打孔曲屏，12bit，1920Hz高頻PWM調光，原色屏調教。2712x1220，446ppi，全白峰值1200尼特，局部3000尼特。480Hz觸控採樣率（瞬時2560Hz）。
屏幕亮度中規中矩，但色準不錯。在出廠默認的生動模式中，其P3色準的表現，比原色模式中的sRGB色準還要強一點。
有類DC+1920Hz高頻PWM調光，在80尼特亮度切換，護眼表現OK。
CPU性能測試（每一列，顏色條越長，越強）
GPU性能測試（每一列，顏色條越長，越強）
閃存讀寫性能（每一列，顏色條越長，越強。同樣條件下，容量越大的閃存，速度會越高）
Redmi Note 14 Pro+首發驍龍7s Gen 3，不鏽鋼5000mm² VC均熱板，LPDDR5+UFS 3.1（美光uMCP一體方案）。
驍龍7s Gen3是臺積電4nm工藝，1顆2.5GHz A702超大核+3顆2.4GHz的A720大核+4顆1.8GHz的A520，GPU是Adreno 810。
驍龍7s Gen 3省流：CPU強於驍龍7 Gen 3/驍龍778G/782G，多核性能和GPU性能接近驍龍870，主要弱點是單核性能（影響響應速度離）。
按照高通的習慣，一般是名字帶s的更弱（類似驍龍8s Gen 3、驍龍6s Gen 3），但驍龍7s Gen 3的CPU多核性能強於驍龍7 Gen 3，甚至接近驍龍870。
單核性能和驍龍7 Gen 3一個水平，弱於天璣7200，與驍龍870還有距離。單核偏弱，可能是它瞬時響應比驍龍870機型慢的原因，當年天璣820也吃了同樣的虧。
PS：GeekBench 5和GeekBench 6是兩套體系，別吧跑分看混了。驍龍870時代都是GeekBench 5。
驍龍7s Gen 3的GPU，介乎於驍龍7 Gen 3到驍龍7s Gen 2之間。高通可能會在CPU上犯迷糊，但GPU是真的等級森嚴+刀法如神。
閃存這邊，因爲澎湃OS大部分機型都不兼容AndroBench，只有Raptor的成績，僅供參考。
在澎湃OS中，驍龍7s Gen 3的使用體驗和驍龍7 Gen 3、驍龍7s Gen 2區別不大，流暢度一般。
澎湃OS已經優化了桌面和應用開啓的動畫，桌面滑動流暢了很多，掉幀也少了。但滑動桌面、負一屏、拉下通知欄，驍龍7s Gen 3都要8核全開，應用啓動、信息流加載速度都偏慢（主要被CPU的單核性能制約）。
（續航測試：測試環境爲室溫26.6度，200尼特屏幕亮度，測試電量區間30%到80%。包括30分鐘《和平精英》HDR高清+極限幀數+抗鋸齒、30分鐘B站1080P視頻播放、30分鐘微博短視頻、各30分鐘的Wi-Fi和5G衝浪，共2.5小時）
Redmi Note 14 Pro+是驍龍7s Gen 3配6200mAh電芯，續航相當不錯。
現在的應用體型大、負載大，2.4到2.5GHz的A720大核經常要頂着頻率跑，導致現在中端SoC的日常能效，根本打不過天璣9300、驍龍8 Gen 3這些旗艦芯片。
雖然中輕負載贏不了旗艦，但因爲峰值功耗低，驍龍7s Gen 3在重度負載時就顯得特別耐用。用娛樂兔“快速”耗電，愣是跑了我們大半個晚上。而且過程中，機器還只是溫手而已。低頻新架構配臺積電工藝，果然環保，恐怖如斯。
200尼特屏幕亮度，經過20分鐘的《和平精英》HDR高清+極限幀數+抗鋸齒，Redmi Note 14 Pro+最高溫38.3度，表現正常。
Redmi Note 14 Pro+的6200mAh單電芯+90W快充。其是小米金沙江電池，6%硅含量硅碳負極（欣旺達-鋰威），能量密度814Wh/L，有小米旗艦在用的澎湃G1電源管理芯片和澎湃P2快充芯片。
Redmi Note 14 Pro+實際充電峰值74W左右，2分鐘半鍾之後落到第二檔（30W到40W），40分鐘左右進入涓流狀態。
（充電測試，1%開始。同一行的顏色條越長，速度越快↑。已打開vivo超快充電模式/OPPO智能極速充電/小米快充加速與低電疾充等功能。部分廠商/機型默認關閉相關功能，需手動開啓）
實際充電速度一般（硅氧負極電池的統一特性，是大電池的代價），和vivo/iQOO的80W快充接近，略慢於K60的67W快充。
影像部分，Redmi Note 14 Pro+引入長焦，把之前的1/1.4型2億像素HP3探索版，換成豪威OV50E，可以理解爲用細節表現換動態範圍：
前置OV20B，2000萬像素，1/4型，0.7μm，F2.2（K70U、 Turbo 3同款）；
主攝豪威OV50E（光影獵人800），5000萬像素，1/1.55型，1μm，最大13.2EV動態範圍。F1.6+OIS；
超廣角IMX355，800萬像素，1.12μm，1/4'型，F2.2；
2.5倍長焦JN1，5000萬像素，1/2.76型，0.64μm，F2.0。
實不相瞞，因爲偷懶，只有幾張樣張↓
主攝1
2.5倍長焦1
超廣角2
主攝2
2.5倍長焦2
主攝3
2倍長焦3
（這顆JN1，在弱光場景竟然也能調用。雖然沒有OIS，但比K70 Pro那顆2 倍光影獵人400長焦（1/2.88型，0.6μm）更強、更實用）。
總結
Redmi Note 14 Pro+最突出的是6200mAh的大電池，那顆2.5倍的JN1長焦也是附近價位極少出現的東西。像是加厚版猩猩Victus 2蓋板、大猩猩7i背蓋、澎湃G1電源管理芯片、澎湃P2快充芯片、澎湃T1信號增強芯片，這些全都是小米/Redmi旗艦纔有的東西。
Redmi Note 14 Pro+主要缺點是性能和重量，但IP66+IP68+IP69、1.8米抗摔，首發帶1年進水保與碎屏保+5年電池保，確實是臺典中典的現代三防機，而且還配你一套還OK的影像硬件。
拆解後會發現，Redmi Note 14 Pro+點的全是防水抗摔的技能點——除了四角和邊緣的防護，主板PCB厚度，從常規的0.6mm漲到0.8mm（尾插副板還是0.6mm）、主板副板的蓋板有各種加強筋、接口有一堆緩衝泡棉、音量鍵還是更加長壽的防水設計，想不超重都難。
它1.8米抗摔、70kg抗彎折的“耐造”能力，比吃過莫妮卡高跟鞋的OPPO K12還強。後者是1.5米抗跌落+60kg抗彎折+驍龍7 Gen 3，定價1799元起（8+256版）。
Redmi Note 14 Pro+當然無法和iQOO Z9 Turbo+這種“把全部成本都放SoC和屏幕上”的機器比性價比，它們的領域完全錯開，根本不在一條世界線上。而在“現代三防機”這個領域，它就是現在性價比最高的機器了。